產(chǎn)品品牌：賽維LDK

產(chǎn)品型號：125*125

本公司供應(yīng)廠價直供LDK125*165單晶硅片質(zhì)量保證，歡迎咨詢洽談。

　　我們於2009年3月開始生產(chǎn)單晶硅片。我們研發(fā)出了一系列加工工藝來縮減生產(chǎn)流程中每個環(huán)節(jié)的生產(chǎn)成本，其中包括提高多晶硅回收利用率、生產(chǎn)尺寸更大的硅錠、增加硅片尺寸、減小硅片厚度、循環(huán)利用料漿和增加產(chǎn)能等等?！　≠惥SLDK太陽能采用最先進的大容量單晶提拉設(shè)備，不僅使生產(chǎn)極具成本效益，而且可達到業(yè)界最高質(zhì)量標準。通過嚴格的檢查標準之后，利用鋼絲方邊刨床對單晶棒進行方形成型處理。然后，利用高精度切割技術(shù)，通過鋼絲鋸（使用鋼絲和由碳化硅和乙二醇構(gòu)成的料漿）將方形硅錠切割成硅片。完成切割后，通過專有清洗工藝來清洗和干燥硅片，并進行檢查以確保達到客戶嚴格的特性和表面質(zhì)量要求。最后，檢查硅片質(zhì)量，封裝成箱并發(fā)往客戶或本公司電池生產(chǎn)廠。

技術(shù)規(guī)格

單晶硅片 156 mm x 156 mm

一般特征 參數(shù) 產(chǎn)品 單晶硅片 晶體生長方法 CZ 導電類型 P型 摻雜劑 硼 電阻率 1-3, 3-6 .cm 氧含量 1 10 18 atoms/cm 3 碳含量 1 10 17 atoms/cm 3 結(jié)構(gòu)特征 參數(shù) 寬度 156.0 0.5 mm 直徑 200.0 0.5 mm 晶向 100 厚度 180 20 m; 200 20 m 機械特性 參數(shù) 總厚度變化 40 m 彎曲度 70 m 表面 無微晶結(jié)構(gòu) 鋸痕 15 m

技術(shù)規(guī)格

單晶硅片 125 mm x 125 mm

一般特征 參數(shù) 產(chǎn)品 單晶硅片 晶體生長方法 CZ 導電類型 P 型 摻雜劑 硼 電阻率 1-3, 3-6 .cm 氧含量 1 10 18 atoms/cm 3 碳含量 1 10 17 atoms/cm 3 結(jié)構(gòu)特征 參數(shù) 寬度 125.0 0.5 mm 直徑 150.0 0.5 mm; 165.0 0.5 mm; 200 0.5 mm 晶向 100 厚度 180 20 m; 200 20 m 機械特性 特性 總厚度變化 40 m 彎曲度 70 m 表面 無微晶結(jié)構(gòu) 鋸痕 15 m

描述

　　項目標準
　　生長方式： CZ
　　導電類型： P
　　摻雜劑：硼
　　晶向：〈100〉 1.0
　　邊長：125 0.5mm
　　直徑：150 0.5mm
　　厚度：200 20 m
　　形狀：準方形
　　電阻率： 1-3 。cm
　　少子壽命： 10 s
　　氧含量： 1 1018atoms/cm3
　　碳含量： 5 1016atoms/cm3
　　翹曲度： 50 m
　　總厚度差異： 35 m
　　位錯密度
　　線痕深度： 10 m
　　崩邊寬度： 0.4mm，延伸 0.8mm，每片總數(shù)量 2個，間隔 30mm
　　表面質(zhì)量表面清潔；無裂紋，明顯刀痕，凹坑，缺口，孔洞