由于IGBT在功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)日趨重要，使用新的測(cè)試方法來(lái)測(cè)試產(chǎn)品特性及生產(chǎn)是必須的。在此介紹的模組化測(cè)試系統(tǒng)是瞄準(zhǔn)功率電晶體的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)量測(cè)，討論的是IGBT設(shè)計(jì)者或是此類(lèi)設(shè)備采購(gòu)者最關(guān)切的需求。首先列出IGBT測(cè)試所須的線路圖并定義所有的參數(shù)，最后再就控制系統(tǒng)的選擇舉一實(shí)例來(lái)說(shuō)明該系統(tǒng)的基本架構(gòu)。IGBT測(cè)試系統(tǒng)需求近年來(lái)，電子工業(yè)不斷發(fā)展功率元件及系統(tǒng)，而電力電子工業(yè)中使用IGBT裝置的數(shù)量也急速增加。由半導(dǎo)體至電力產(chǎn)品之制造廠皆希望在這些產(chǎn)品中改善成較好的效率及降低所有工業(yè)制程步驟的成本，從產(chǎn)品的研發(fā)至最后產(chǎn)品品質(zhì)的控制過(guò)程皆必須被完善控制。對(duì)這些所有的步驟，測(cè)試相對(duì)地變的非常重要，且必需準(zhǔn)確及可靠。對(duì)在生產(chǎn)過(guò)程而言，測(cè)試設(shè)備須具備多樣的特點(diǎn)來(lái)配合不同的測(cè)試需求。研發(fā)工程師需要知道其特性便于其設(shè)計(jì)，生產(chǎn)的人員須要快速且容易使用的工具，可控制他們的生產(chǎn)制程，品質(zhì)管制人員則需要檢查他們所組合的產(chǎn)品的特性及收集他們的結(jié)果來(lái)做統(tǒng)計(jì)分析。(一)多用途性(Versatility)現(xiàn)代的測(cè)試設(shè)備所須的功能，必須能不被限制其最大電流及電壓之供給。目前IGBT的產(chǎn)品其電流可通過(guò)1200A及阻斷電壓可高達(dá)3300V，但不久之后IGBT的產(chǎn)品即會(huì)有達(dá)到4500V及2000A的能力。且無(wú)人可預(yù)測(cè)未來(lái)其電壓及電流可達(dá)到多少，再者，現(xiàn)今IGBT的測(cè)試設(shè)備，也須能測(cè)試新元件MCTS(MOSContrlledThyristort)或是IGCT(IntegratedGate-CommutatedThyristor)。因此，測(cè)試設(shè)備的評(píng)估上，須能適應(yīng)及符合未來(lái)可能的發(fā)展，其不論是硬體，如電壓電流產(chǎn)生器或軟體上。IWATSU公司推出的CS-3000給用戶提出了最佳的解決方案(二)操作簡(jiǎn)單(EaseofHandling)測(cè)試設(shè)備除了上述之特色外，應(yīng)仍保持操作簡(jiǎn)單及效率佳的能力。達(dá)此目的最佳之方法即是使用者不須具備特殊訓(xùn)練即可操作此設(shè)備。如有使用晶體管特性圖示儀的用戶，操作起來(lái)會(huì)更加方便。此測(cè)試系統(tǒng)亦可經(jīng)常地改變測(cè)試的半導(dǎo)體元件的型式(通常一天數(shù)次)，對(duì)新的半導(dǎo)體元作的型式其可能會(huì)須要不同的制具(jig)，或是更復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)閘控制，或是一緩沖器(Sunbber)的保護(hù)等。因此，使用模組化系統(tǒng)即可達(dá)到上述之需求。在一個(gè)基本的測(cè)試系統(tǒng)上，加上一些可更換的測(cè)試單元，使其可執(zhí)行不同范圍產(chǎn)品的量測(cè)。(三)安全性(Safety)IGBT的測(cè)試系統(tǒng)因其可提供非常高的電壓輸出，對(duì)操作者來(lái)講是有一潛在的危險(xiǎn)性，當(dāng)在操作高電壓及大電流時(shí)，操作員的安全性應(yīng)予以考慮，即該設(shè)備須在不同國(guó)家的規(guī)范中皆可符合其安全標(biāo)準(zhǔn)。在執(zhí)行測(cè)試時(shí)，在危險(xiǎn)的區(qū)域應(yīng)使用滑動(dòng)式門(mén)鎖定而予以保護(hù)，所有參數(shù)皆應(yīng)設(shè)置于安全的工作區(qū)域中，所有的保護(hù)措施的控制皆應(yīng)由硬體部份來(lái)控制，而不是軟體來(lái)控制。很顯然的，在整條生產(chǎn)線上（研發(fā)測(cè)試時(shí)），時(shí)間是一個(gè)很重要的因素，因此，安全系統(tǒng)必須要很方便，而盡可能地對(duì)測(cè)試的速度影響愈小愈好。靜態(tài)測(cè)試(Statictests)此測(cè)試之目的在提供元件(device)的詳細(xì)特性，讓設(shè)計(jì)者能精確地預(yù)測(cè)元件在穩(wěn)態(tài)(Steadystate)情況時(shí)之行為，此可協(xié)助使用者選擇最佳的元件來(lái)用于他的應(yīng)用中，更進(jìn)一步地讓其對(duì)與半導(dǎo)體元件相連接的設(shè)備如：電壓鉗式單元，閘極驅(qū)動(dòng)，冷卻系統(tǒng)等的設(shè)計(jì)更為妥切。(一)集射極崩潰電壓(CollectorEmitterBreakdownVoltage)VCEs量測(cè)于特定的集極電流IC下閘極短路至射極時(shí)，跨于集、射極兩端之電壓為VcEs如圖1,IGBT的集射極崩潰電壓是會(huì)隨著介面(Junction)溫度增加而增加的(典型對(duì)600V之IGBT會(huì)有0.7V/℃)(二)集極至射極的泄漏電流IcEs［或稱(chēng)為集極的截止(Cut-off)電流］在額定的集射極電壓和閘射極短路下之集極電流為IcEs值(如圖2),IcEs的量測(cè)通常在25℃及最大的工作介面(Junction)溫度，且集極泄漏電流亦會(huì)隨介面溫度升高而增加。因此，在測(cè)試期間限制電流流過(guò)及避免thermal升高是很重要的。(三)集極至射極的飽和電壓 (Collectortoemittersaturationvoltage)VcEsatVcEsat(圖3)是在特定的集極電流，閘射極電壓及介面溫度時(shí)之集射極導(dǎo)通電壓VcEsat是相當(dāng)重要的特性，因?yàn)槠鋾?huì)決定導(dǎo)通之損失，在大的極電流時(shí)，測(cè)試的脈沖必須非常短，如此不致有過(guò)多之損失。 (四)二極體順向電壓(DiodeForwardVoltage)VFVF(圖4)是指IGBT模組中的飛輪二極體(FreewheelingDiode)在特定電流及介面溫度時(shí)之順向?qū)妷褐怠?五)閘極臨界電壓(GatethresholdVoltage)VGethVGeth(圖5)是指在特定集極電流及閘極短路至集極時(shí)之射極的電壓值。當(dāng)閘射極電壓小于臨界值時(shí)IGBT是OFF狀態(tài)，因此閘極臨界電壓即是閘射極電壓使IGBT導(dǎo)通并流過(guò)特定的集極電流。VGEth是隨著介面溫度遽增而遞減的(-11mV/℃)。 (六)跨導(dǎo)(Transconductance)gfs跨導(dǎo)(gfs)(圖6)是于特定集極電流時(shí)，集極電流和閘射極電壓之商數(shù)?？鐚?dǎo)是用來(lái)表示IGBT增益的方式。由于跨導(dǎo)的量測(cè)是在清楚嚴(yán)格的特定條件下所做的兩個(gè)量測(cè)之值，因此，測(cè)試設(shè)備的精準(zhǔn)性對(duì)測(cè)試結(jié)果有很大的影向力。 第二種方法是調(diào)整閘射極電壓至特定的集射極電壓(VP)并思考下列式子：△VGE=△VpIGBT的順向跨導(dǎo)是會(huì)隨著介面溫度升高而增加的，其原因在于定閘極電壓時(shí)，增加集極電流時(shí)，因電流Thermalrun-away而會(huì)使晶片溫度升高，因此IGBT并不被建議來(lái)當(dāng)做一個(gè)線性放大器使用。(七)閘極電荷(QGE,QcG,QG)及閘極電容(Cies,Coes,Cres)QGE(圖7)是由驅(qū)動(dòng)電路傳送。使用閘射極電壓達(dá)可維持特定集極電流之電荷值。QCE是由驅(qū)動(dòng)電路傳送。允許跨于閘極電容的電壓，由特定之值降至最后導(dǎo)通值之電荷值。QG是閘極總電荷值，是QGe是QcG及另一附加之成份之總和，此附加之值和閘極＂Overdrive＂電壓有關(guān)由于有一些未知的雜散(stray)電容存在電路中，所以校正脈沖是必須的。在每一測(cè)試前都會(huì)先測(cè)試雜散(Stray)電容，并用該值來(lái)修正閘極電荷/電容之值。此雜散電容會(huì)依接線及氣候溫度等條件而變化。閘極電荷及電容之規(guī)格在規(guī)劃閘極驅(qū)動(dòng)電路及決定閘極驅(qū)動(dòng)損失時(shí)是非常有用的。(八)閘極至射極之泄漏電流IGEsIGEs(圖8)是指在特定的閘射極電壓及集極短路至射極時(shí)閘極之泄漏電流。此測(cè)試可能可以知道正或負(fù)的閘射極電壓。所量測(cè)的電流是相當(dāng)小的，因此，脈沖至少須維持一個(gè)電源周期的積分時(shí)間，避免因閘極電容吸收的電流所產(chǎn)生之誤差。此量測(cè)必須在閘極電壓穩(wěn)定后才可進(jìn)行。