?最近有關(guān)三星GALAXY S6的傳聞較多，在陸續(xù)曝出該機(jī)的研發(fā)代號為“Project Zero”以及可能會配備雙曲面?zhèn)绕恋南⒅?，韓國媒體etnews日前又最近報(bào)道稱，三星將在智能旗艦上首次使用通用閃存（UFS）芯片，其主要特色是傳輸速度更快，且功耗更低。據(jù)悉，三星這款智能旗艦將會在明年發(fā)布，但規(guī)格目前尚未完成。由于GALAXY S6將會是三星在明年的旗艦級產(chǎn)品，所以也意味著該機(jī)將有望成為首款配備通用閃存（UFS）芯片的智能機(jī)型。
? ? 配備UFS閃存
? ? 根據(jù)韓國媒體etnews援引三星內(nèi)部人士的消息披露稱，三星采用通用閃存（UFS）芯片的智能旗艦將于明年登場，但目前規(guī)格尚未完成。同時(shí)，三星還計(jì)劃在智能手機(jī)和平板電腦上逐步以UFS取代傳統(tǒng)的SD卡和Micro SD存儲卡，而且包括小米在內(nèi)的智能手機(jī)廠商也可能會跟進(jìn)，推出配備UFS通用閃存的旗艦機(jī)型。由于三星GALAXY S6將會是三星在明年推出的旗艦機(jī)型，所以也意味著該機(jī)或?qū)⒊蔀槭卓畲钶dUFS通用閃存的智能旗艦。
? ? 至于UFS通用閃存則是一種新的儲存標(biāo)準(zhǔn)，將固態(tài)硬盤（SSD）的高速傳輸和eMMC的低功耗特點(diǎn)相結(jié)合，不僅能夠提供更快的傳輸速度，而且耗電量更低。目前，eMMC閃存的最高傳輸速率為400MB/s，而UFS閃存則快上三倍，高達(dá)1.2GB/s。同時(shí)在功耗方面，UFS閃存理論上僅有eMMC 5.0閃存的一半左右。
? ? S6從零開始
? ? 而在此前，三星GALAXY S6的研發(fā)代號Project Zero已經(jīng)在網(wǎng)絡(luò)上曝光，所傳遞的概念似乎為“從零開始”的含義。而從目前所披露的諸多消息來看，三星確實(shí)準(zhǔn)備在下一代GALAXY S系列旗艦上采用全新的設(shè)計(jì)。比如根據(jù)IHD技術(shù)公司的高級分析師Jerry Kang披露的說法，三星GALAXY S6的兩個(gè)側(cè)面都有望使用來自Samsung Display的弧形屏幕，同時(shí)這位分析師還表示三星其實(shí)在Note Edge上就已經(jīng)能夠在兩側(cè)都采用弧形屏幕，只是三星高層壓制了這個(gè)想法，表示“再等等”。
? ? 除此之外，三星GALAXY S6還傳聞會裝載2K分辨率的觸控屏，并會使用博通的全新BCM4773芯片，將GPS 導(dǎo)航與其它感應(yīng)器整合，不僅能夠節(jié)省電量消耗，而且還能夠?yàn)橹靼骞?jié)省更多空間。至于其他相關(guān)配置上，三星GALAXY S6也會得到全面升級，比如前置鏡頭提升為500萬像素，并會改進(jìn)主攝像頭在弱光環(huán)境下的拍照效果。而處理器的配置上則沿用過去的雙處理器策略，全球版本將會裝載全新Exynos 7420處理器，并可能會搭載新開發(fā)LTE基帶芯片。而面向部分特定的地區(qū)的版本，則會是64位的驍龍810處理器。
? ? 繼續(xù)采用3GB內(nèi)存
? ? 盡管如此，三星GALAXY S6并不打算配備4GB內(nèi)存，而是會繼續(xù)采用3GB的內(nèi)存容量，因?yàn)檫@樣的配置已經(jīng)足以處理所有的任務(wù)操作。而根據(jù)SamMobile此前曝光的信息顯示，該機(jī)在歐美市場的型號為SM-G920，并且針對市場的不同手機(jī)的型號最后一位數(shù)字和字母會略有變化。
